合肥晶合集成电路股份有限公司郇小伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610098801.9，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种图像传感器及其制作方法是由郇小伟;蔡承佑设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，包括光电感应区和逻辑区，衬底包括相对设置的正面和反面；多个光电二极管，由衬底的正面间隔设置在光电感应区；多个半导体器件，由衬底的正面间隔设置在逻辑区；至少一个背面晶体管，由衬底的背面设置在逻辑区，背面晶体管包括一对间隔设置在衬底内的掺杂区；多个深沟槽隔离结构，由衬底的背面至少设置在光电二极管和背面晶体管的两侧；多个金属格栅，至少设置在光电二极管两侧的深沟槽隔离结构上和一对掺杂区之间衬底上。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法，满足逻辑区电路复杂程度高的要求，提高芯片设计灵活性，且减少逻辑区占用面积。
本发明授权一种图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括光电感应区和逻辑区，所述衬底包括相对设置的正面和反面； 多个光电二极管，由所述衬底的正面间隔设置在所述光电感应区； 多个半导体器件，由所述衬底的正面间隔设置在所述逻辑区； 至少一个背面晶体管，由所述衬底的背面设置在所述逻辑区，所述背面晶体管包括一对间隔设置在所述衬底内的掺杂区； 多个深沟槽隔离结构，由所述衬底的背面至少设置在所述光电二极管和所述背面晶体管的两侧； 多个金属格栅，至少设置在所述光电二极管两侧的所述深沟槽隔离结构上和一对所述掺杂区之间衬底上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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