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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种低功耗基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121578851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610090592.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低功耗基准源是由杨帆;张洵颖;段世泽;李臻;崔媛媛;赵晓冬设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗基准源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗基准源，属于集成电路设计技术领域，低功耗基准源包括：电流偏置电路和基准电压产生电路。电流偏置电路，通过耗尽型晶体管降低电源电压的同时隔离电源电压的波动变化，输出偏置电流；基准电压产生电路，通过工作在亚阈值区的采用混合型偏置方式的并联增强型晶体管作为负载，根据偏置电流得到温度补偿后的、低功耗、不受温度波动而变化的基准电压。此外，本发明仅在版图层面通过体端连接的巧妙规划即可实现，不增加额外的工艺步骤与制造成本，为设计者提供了一个灵活、有效的补偿维度，使其能够针对特定工艺角和工作温度范围进行精准优化，极大地提升了基准电压源在各类高性能模拟与数模混合集成电路中的实用性和可靠性。

本发明授权一种低功耗基准源在权利要求书中公布了：1.一种低功耗基准源，其特征在于，包括： 电流偏置电路，通过耗尽型晶体管降低电源电压的同时隔离电源电压的波动变化，输出偏置电流； 基准电压产生电路，将工作在亚阈值区的采用混合型偏置方式的并联增强型晶体管作为负载，根据偏置电流得到温度补偿后的基准电压Vref； 其中，所述并联增强型晶体管由多个子MOS管构成，所述并联增强型晶体管中的子MOS管以预设比例进行体端差异化连接，利用体效应对并联增强型晶体管的阈值电压温度特性进行调制；所述基准电压产生电路，包括： 并联增强型晶体管M3和并联增强型晶体管M4；所述并联增强型晶体管M3由多个宽长比相同的相互并联的子MOS管构成；其中，比例为的子MOS管的体端与所述并联增强型晶体管M3的源极连接，比例为b的子MOS管的体端与所述电流偏置电路的补偿端连接；；所述并联增强型晶体管M4由多个宽长比相同的相互并联的子MOS管构成；其中，比例为c的子MOS管的体端与所述并联增强型晶体管M4的源极连接，比例为d的子MOS管的体端与所述并联增强型晶体管M4的漏极连接；c+d=1。

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