三星电子株式会社金江旻获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010805205.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权非易失性存储器装置是由金江旻;宋昇珉;申载勋;申重植;林根元设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：基底；第一模制结构，设置在基底上并且包括多个第一栅电极；第二模制结构，设置在第一模制结构上并且包括多个第二栅电极；以及多个沟道结构，通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉，其中，第一模制结构包括彼此间隔开的第一堆叠件和第二堆叠件，并且第二模制结构包括堆叠在第一堆叠件上的第三堆叠件、堆叠在第二堆叠件上的第四堆叠件以及连接第三堆叠件和第四堆叠件的第一连接部。
本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括： 基底； 第一模制结构，位于基底上并且包括在第一方向上延伸的多个第一栅电极； 第二模制结构，位于第一模制结构上并且包括在第一方向上延伸的多个第二栅电极；以及 多个沟道结构，通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉， 其中，第一模制结构包括被第一块沟槽彼此间隔开的第一堆叠件和第二堆叠件，第一块沟槽在第一方向上延伸， 第二模制结构包括堆叠在第一堆叠件上的第三堆叠件、堆叠在第二堆叠件上的第四堆叠件以及连接第三堆叠件和第四堆叠件的第一连接部， 第一连接部允许所述多个第二栅电极中的除了最上面的第二栅电极之外的其余第二栅电极在第三堆叠件与第四堆叠件之间保持连续，并且 第二模制结构还包括多个第二块沟槽，所述多个第二块沟槽中的每个与第一连接部中的每个交替布置在第一方向上，并且在与第一方向垂直的第二方向上贯穿所述多个第二栅电极中的每个，以暴露第一块沟槽的一部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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