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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010648988.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体装置是由李海旻;金钟源;姜信焕;金森宏治;韩智勋设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括：第一堆叠件组，其具有交替且重复地堆叠在衬底上的第一层间绝缘层和第一栅极层；以及第二堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在第一堆叠件组上的第二层间绝缘层和第二栅极层。分离结构穿过第一堆叠件组和第二堆叠件组，并包括第一分离区域和第二分离区域。竖直结构穿过第一堆叠件组和第二堆叠件组，并包括第一竖直区域和第二竖直区域。导电线电连接到第二堆叠件组上的竖直结构。第一竖直区域的上端与衬底的上表面之间的距离大于第一分离区域的上端与衬底的上表面之间的距离。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在衬底上的第一层间绝缘层和第一栅极层； 第二堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在所述第一堆叠件组上的第二层间绝缘层和第二栅极层； 上层间绝缘层，其设置在所述第二堆叠件组上； 分离结构，其穿过所述第一堆叠件组、所述第二堆叠件组和所述上层间绝缘层，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开，所述分离结构中的每一个包括第一分离区域和第二分离区域，所述第二分离区域在作为所述衬底的厚度方向的第二方向上设置在所述第一分离区域上； 竖直结构，其穿过所述第一堆叠件组和所述第二堆叠件组，并在所述第一方向上设置在所述分离结构之间，所述竖直结构包括第一竖直区域和在所述第二方向上设置在所述第一竖直区域上的第二竖直区域；以及 导电线，其电连接到所述第二堆叠件组上的竖直结构， 其中，所述第一竖直区域包括与所述第二竖直区域相邻的第一上竖直区域和与所述衬底相邻的第一下竖直区域， 其中，所述第二竖直区域包括第二下竖直区域和第二上竖直区域，所述第二下竖直区域与所述第一竖直区域相邻，并且所述第二下竖直区域的宽度小于所述第一上竖直区域的宽度，所述第二上竖直区域与所述导电线相邻， 其中，所述第一分离区域包括与所述第二分离区域相邻的第一上分离区域和与所述衬底相邻的第一下分离区域， 其中，所述第二分离区域包括第二下分离区域和第二上分离区域，所述第二下分离区域与所述第一分离区域相邻，并且所述第二下分离区域的宽度小于所述第一上分离区域的宽度，所述第二上分离区域与所述导电线相邻， 其中，所述第一竖直区域的上端与所述衬底的上表面之间的距离大于所述第一分离区域的上端与所述衬底的上表面之间的距离，并且 其中，所述第二分离区域的上端与所述衬底的上表面之间的距离大于所述第二竖直区域的上端与所述衬底的上表面之间的距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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